Datasheet下载- 型号： IPP070N06N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP070N06N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP070N06N G价格参考。InfineonIPP070N06N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP070N06N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP070N06N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IPP070N06N G是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于多种中低电压功率转换场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，如电脑、服务器和通信设备的电源模块，提升能效并减少能量损耗。 2. 电机驱动：适用于工业控制、家用电器（如风扇、洗衣机）和电动工具中的直流电机或步进电机驱动电路，提供高效且可靠的开关控制。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，特别是在高亮度LED照明和智能照明系统中，实现稳定电流控制和高效能量转换。 4. 消费电子：常见于充电器、适配器和便携式设备的电源管理单元，满足小型化与高效率的需求。 5. 汽车电子：在车载电源系统、车灯控制和辅助电机控制等非主驱应用中也有使用，得益于其良好的可靠性和温度耐受能力。 IPP070N06N G的60V耐压和7mΩ低导通电阻使其在高电流、高频工作条件下仍保持较低功耗，适合追求高效率和紧凑设计的应用。同时，其封装形式便于散热和PCB布局，进一步增强了在各类电力电子系统中的适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP070N06N+G+Rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42eeadb4ab6 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP070N06N G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 180µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4100pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 118nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP070N06N G-ND |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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